1、6月2日，英偉達官宣將在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片，還透露下一代AI平臺名為“Rubin”，將于2026年發(fā)布。

2、三星電子正探索“鉿基薄膜鐵電”作為下一代NAND閃存材料，計劃到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。

3、半導(dǎo)體晶圓測試2024會議于6月3-5日，在美國加州舉行。此次會議專注于微電子晶圓和芯片級測試，包括23個半導(dǎo)體技術(shù)演講。

4、微軟計劃在瑞典投資32億美元，用于建設(shè)專注于人工智能（AI）和云服務(wù)的數(shù)據(jù)中心。

5、金航標(biāo)（www.kinghelm.net）和薩科微官網(wǎng)發(fā)布《宋仕強論道 之 AI（人工智能）如何賦能新質(zhì)生產(chǎn)力》，該文被新華瞭望網(wǎng)等多家媒體轉(zhuǎn)載！

6、韓國半導(dǎo)體設(shè)備廠Yesty宣布，已收到三星電子價值60億韓元（約合435萬美元）的高帶寬存儲器（HBM）加壓設(shè)備和常壓設(shè)備訂單。   

1、5月31日，德州天衢新區(qū)管委會與廣東先導(dǎo)稀材簽訂項目投資協(xié)議，半導(dǎo)體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落戶新區(qū)。

2、5月30日，廣東芯成漢奇半導(dǎo)體成功摘得松山湖生態(tài)園2024WT038地塊，擬用于晶圓級先進封測制造項目，總投資約30.9億元。

3、5月30日，中新國際聯(lián)合研究院和廣州微納芯材共建的半導(dǎo)體材料聯(lián)合實驗室簽約暨揭牌儀式在研究院舉行。

4、聯(lián)電正積極開發(fā)12nm FinFET制程技術(shù)平臺（12FFC），該芯片可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體產(chǎn)品，預(yù)計2026年開發(fā)完成、2027年量產(chǎn)。

5、張江芯片測試公共服務(wù)平臺即將面世，該平臺由張江高科與華嶺攜手打造，將加快芯片從設(shè)計到量產(chǎn)的速度。

6、5月28日，臺亞半導(dǎo)體通過了8英寸GaN（氮化鎵）業(yè)務(wù)分割計劃，并由子公司冠亞半導(dǎo)體承接該業(yè)務(wù)。