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類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):30V
連續(xù)漏極電流(Id):2.2A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.2A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):0.9V@250μA
產(chǎn)品介紹:FDN337N 低壓N溝道MOS管
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管FDN337N是一款專為低壓、低功耗應(yīng)用設(shè)計的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。這款MOSFET以其緊湊的封裝、低閾值電壓和超低導(dǎo)通電阻,在需要精細電流控制和高效率轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備中展現(xiàn)出卓越的性能。FDN337N適用于各種低壓電路,為系統(tǒng)設(shè)計者提供了靈活且可靠的解決方案。
二、產(chǎn)品特性
低壓操作:漏源電壓(Vdss)為30V,適合在低壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,保護電路免受高壓損害。
超低靜態(tài)電流:連續(xù)漏極電流(Id)低至1μA,在待機或低功耗模式下能顯著減少能耗,延長電池壽命。
低導(dǎo)通電阻:在4.5V的柵極電壓(Vgs)和2.2A的漏極電流(Id)條件下,導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為40mΩ,有效降低了導(dǎo)通時的能量損耗,提高了系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:閾值電壓(Vgs(th)@Id)為0.9V@250μA,使得FDN337N在較低的柵極電壓下即可開啟,適用于低功耗和快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢
高效節(jié)能:超低導(dǎo)通電阻和靜態(tài)電流使得FDN337N在工作時能耗極低,有助于節(jié)能減排。
快速響應(yīng):低閾值電壓保證了MOSFET的快速開啟和關(guān)閉,提高了系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)速度。
高可靠性:經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和測試,F(xiàn)DN337N展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性和可靠性,確保在各種工作環(huán)境下都能穩(wěn)定工作。
靈活設(shè)計:緊湊的封裝設(shè)計使得FDN337N易于集成到各種電子設(shè)備中,節(jié)省了PCB空間,簡化了電路設(shè)計。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
FDN337N廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
便攜式設(shè)備:如智能手機、平板電腦、智能手表等,用于電源管理、信號切換等低功耗場景。
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:在物聯(lián)網(wǎng)傳感器、智能家居系統(tǒng)等應(yīng)用中,提供穩(wěn)定的低壓電力控制和信號傳輸。
汽車電子:在汽車電子控制系統(tǒng)中,如車窗升降器、座椅調(diào)節(jié)器等,實現(xiàn)低功耗、高可靠性的電力控制。
工業(yè)控制:在需要精細電流控制和高效率轉(zhuǎn)換的工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,如精密機械控制、電機驅(qū)動等。
五、注意事項
電壓限制:請確保在實際應(yīng)用中不超過器件的額定電壓(Vdss),以防止擊穿損壞。
電流控制:雖然連續(xù)漏極電流較小,但在設(shè)計電路時仍需注意電流分配,避免過載。
散熱設(shè)計:雖然功耗較低,但在高密度集成或長時間工作的應(yīng)用中,仍需關(guān)注散熱問題,確保器件溫度在正常范圍內(nèi)。
靜電防護:在安裝和使用過程中,應(yīng)采取靜電防護措施,避免靜電放電對器件造成損害。
存儲與運輸:請按照產(chǎn)品手冊中的建議進行存儲和運輸,避免暴露在[敏感詞]溫度、濕度或腐蝕性環(huán)境中。
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