光刻機限制，終究由[敏感詞]的極紫外光刻機（EUV）擴大到了深紫外（DUV）。

近日，荷蘭政府表示，計劃對半導體技術出口實施新的管制，強調限制措施包括ASML制造的一些深紫外（DUV）光刻機。荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）隨后發布聲明回應，ASML將需要申請出口許可證才能發運[敏感詞]的浸潤式DUV系統。

眾所周知，早在2019年，ASML就開始停止對中國銷售EUV光刻機。“光刻機之痛”，成了我國半導體產業難以逾越的坎兒。

EUV光刻機   源自: ASML官網

來自完全國產化較難！

每顆芯片都要經過光刻技術的雕琢，光刻機被譽為“芯片產業皇冠上的明珠”，是晶圓廠里最貴的設備，每一代光刻機都在不斷挑戰人類工業制造能力的極限。

光刻機的原理非常簡單，就是類似照相機，用光把圖案投射到硅片上。然而實現上有兩個難點，一個是如何讓圖案盡可能的小，另一個是怎么讓生產效率[敏感詞]。

圖案要多小呢？[敏感詞]技術是一平方毫米(比芝麻還小)里面有一億個晶體管。

生產效率要多高呢？目前的核心技術是一小時出產近300片12英寸（300毫米）晶圓，每片晶圓上要做出上千個芯片。ASML的先進光刻機7x24小時工作，全年停機時間不超過3%，這意味著一臺光刻機每年要連續加工出數億的芯片。

光刻機一次只能曝光指甲那么大的一點區域，一塊直徑12英寸的晶圓全部曝光一遍至少要移動好幾百次，而每次移動，定位要精確到幾十納米（也就是頭發絲直徑的幾萬分之一）。你可以想象光刻機臺的移動速度有多快。

讓動作精密到令人發指的機器，24小時全年連續穩定工作，是工程學上的巨大挑戰。

我們經常看到新聞，說某科研單位實現了多少nm光刻，這時你要理解從實驗室刻出兩條線到工廠7x24之間，是有天壤之別的。

因此，光刻機的技術決定了集成電路的高度，也正是有了更先進的光刻機，摩爾定律才能不斷延續，計算機、手機等電子產品性能才能越來越強、功能越來越豐富。同時，芯片制造以及背后的光刻機技術也成為了美國對華科技打壓的縮影。

大致來看，光刻機分為兩類：

1）DUV深紫外線光刻機：DUV技術由日本和荷蘭獨立發展，可以制備0.13um到28/14/7nm芯片，也就是說能覆蓋7nm及以上制程需求，可滿足絕大多數需求；價格為2000-5000萬美元/臺不等。

2）EUV極紫外線光刻機：與DUV有著本質的不同，EUV自出生就被美國從資本和技術層面全面掌控，適合7nm到5/4/3nm以下芯片，是5nm及更先進制程芯片的剛需，也是未來光刻技術和先進制程的核心，這也是美國牢牢控制EUV技術的重要原因。價格則是1-3億美元/臺。

目前，全球前道光刻機幾乎被ASML、尼康、佳能壟斷。其中，[敏感詞]的EUV光刻機，則由ASML公司完全壟斷，且至今未實現量產，2022年預計生產了約50余臺，臺積電、三星、英特爾等芯片巨頭，每年為此搶破了頭。

但其實，早在上世紀80年代，ASML還只是飛利浦旗下的一家合資小公司。全司上下算上老板31位員工，只能擠在飛利浦總部旁臨時搭起的板房里辦公。在對手的映襯下，顯得弱小、可憐，又無助。

ASML成立于1984年的愚人節，和聯想同歲，是當時正打算大裁員的飛利浦，為了占個坑觀望，與ASM International合作成立，飛利浦并沒有大手筆押注光刻機，所以那時候的ASML堪稱貧窮，而對手尼康，正來回碾壓美國對手：

在2000年之前的整個16年時間里，光刻機市場差不多都是尼康的后花園，ASML占據的份額不超過10%。

直到一個叫林本堅的華人出現，他當時是臺積電研發副總經理。

圖源：網絡

當時芯片制程進展到65 納米，以空氣為介質的“干式”微影技術遇到瓶頸，在投入數十億美元的研發后，始終無法將光刻光源的193納米波長縮短到157納米。為縮短光波長度，大量科學家和幾乎整個半導體業界都被卷進來，砸進數以十億計的美金，以及大量人力，提出了多種方案。

但這些方案，要么需要增大投資成本，要么太過超前，以當時的技術難以實現.

林本堅來了個腦筋急轉彎：既然157nm難以突破，為什么不退回到技術成熟的193nm，把透鏡和硅片之間的介質從空氣換成水？因為純水的折射率比空氣高，也就是說，如果鏡頭和晶圓都泡在水里，分辨率可大大提高！

這個方案被稱做“浸入式光刻技術”，優勢也非常明顯。

但是，當林本堅拿著這項“沉浸式光刻”方案，跑遍美國、德國、日本等國，游說各家半導體巨頭，卻都吃了閉門羹。

正如前文所說，光刻機是“定位精準、唯快不破”，這也是ASML的發展理念。遵循這一理念，ASML盡量不考慮成本和售價，只要做到最精密和最可靠。

理念相同的人很容易一拍即合，林本堅終于在ASML聽到了合作的聲音。

2004年，ASML和臺積電共同研發出全球[敏感詞]臺浸潤式微影機，能夠助力芯片制程持續突破到10納米節點，讓業界在震驚之余也刮目相看。臺積電順利突破制程節點，拿下了全球一半的晶圓代工訂單。尼康的大客戶紛紛倒戈，市場份額被ASML不斷吞噬，5年后，ASML已經占據了70%的市場份額。

ASML一躍翻身，執掌起代工廠的生殺大權，更成為大國博弈之間的關鍵大招。正如ASML所說，“如果我們交不出EUV，摩爾定律就會從此停止”。

ASML能從日美大戶橫行的光刻市場崛起，除了一點運氣，還有“窮則思變，變則通，通則達”的必然律起作用。這也是值得我們學習的地方。

中國在自動化步進式光刻機領域的起步相對較晚，再加上缺乏人才和技術，與ASML相比有較大差距。但是，經過多年的努力追趕，中國光刻機產業鏈在一些領域已經實現了突破，初步打破國外巨頭完全壟斷的局面，讓中國光刻機產業鏈擁有了追趕國際的基礎能力。

在此，芯師爺給大家盤點8家在光刻機產業鏈上取得了一定的突破的中國光刻機企業。

上海微電子——光刻機的整機生產

成立于2002年，是國內光刻設備領域的龍頭企業，主要產品是SSX600系列步進掃描投影光刻機，可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求。該設備可用于8寸線或12寸線的大規模工業生產。

上海微電子500系列先進封裝光刻機產品國內市場占有率達80%以上。盡管相比目前占據主流的中高端芯片5nm、7nm以及14nm制造工藝仍存在相當大的距離，但隨著國產技術工藝的不斷精細成熟，長期來看實現技術的追趕并非不可能。

華卓精科——雙工件臺方面

根據華卓精科官網顯示，其生產的光刻機雙工件臺，打破了ASML公司在光刻機工件臺上的技術上的壟斷，成為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術的公司。

華卓精科在光刻機雙工件臺技術上的突破，也為中國自主研發65nm至28nm 雙工件干臺式及浸沒式光刻機奠定了基礎，是生產國產光刻機的上海微電子的的光刻機雙工件臺供應商。建立初衷在于將清華大學在"極大規模集成電路制造裝備及成套工藝"國家科技重大專項中積累的[敏感詞]技術落地產業化。

科益虹源——光源方面

成立于2016年7月，是在國家大力推動科技成果轉化的政策下，由中國科學院光電院、中國科學院微電子研究所、北京亦莊國際投資有限公司、中科院國有資產經營有限公司共同投資創立。

在光源方面，科益虹源公司自主研發設計生產的首臺高能準分子激光器，以高質量和低成本的優勢，填補中國在準分子激光技術領域的空白，打破國外廠家對該技術產品長期市場壟斷局面，其已完成了6khz、60w主流ArF光刻機光源制造，也是上海微電子的光源制造商。

福晶科技——光源方面

成立于2001年，主要從事非線性光學晶體、激光晶體、精密光學元件和激光器件的研發、生產和銷售，其產品廣泛應用于激光、光通訊、醫療設備、檢測分析儀器等各諸多工業領域。

該公司生產的KBBF晶體屬于激光設備的上游關鍵零部件，KBBF晶體是目前可直接倍頻產生EUV激光的非線性光學晶體，用于建造超高光分辨率光電子能譜儀、光刻技術等前沿領域。

奧普光學——光學鏡頭方面

奧普光學成立于2016年，是第三批專精特新企業，從事制造光機電一體化產品的高新技術企業，屬于專用儀器儀表制造，主要業務為光電測控儀器設備、光學材料和光柵編碼器等產品的研發、生產與銷售。奧普光電的大股東為中科院長春光機所，其主要負責我國國產光刻機光源、光學部分的研發工作。

在光學鏡頭方面，奧普光學提供的鏡頭可以做到90nm，但是與卡爾蔡司、Nikon等公司還有非常大的差距。

芯微源——涂膠顯影方面

芯源微是國內半導體設備稀缺供應商，自2002年年成立以來深耕涂膠顯影設備，已經在LED芯片制造及集成電路后道先進封裝等環節實現進口替代，目前正向前道擴展。

涂膠顯影設備后道領域國內市占率[敏感詞]，前道產品線實現全面突破。公司是國家02重大專項中[敏感詞]的涂膠顯影設備廠商，后道產品在國內市占率[敏感詞]，覆蓋臺積電及大陸主流封測廠。前道產品中，公司offline實現量產并獲得上海華力、士蘭集科等晶圓廠訂單，I-Line實現小批量產，KrF/ArF在中芯紹興、青島芯恩等晶圓廠驗證過程較為順利，ArFi研發順利。全球先進封裝涂膠顯影設備市場空間大約2億美元，前道市場大約40億美元

菲利華——光罩方面

菲利華成立于1966年，經過50余年的發展，目前已具備生產半導體和光學用大尺寸合成石英材料的能力，是國內[敏感詞]一家可以生產大尺寸光掩膜基板的企業，也是高端光學用高精密光學合成石英材料的供應廠商。

在大規格合成石英材料領域，公司已處于國內領先地位，[敏感詞]研發生產G8 代光掩膜（光罩）基板，目前已推出從G4代到G8代的系列產品，打破了長期以來國外壟斷；高端光學合成石英已在多個國家重點項目中使用。

傳芯半導體——光罩方面

傳芯公司是一家致力于半導體級空白掩模版（即掩模基板）的研發和產業化生產的綜合型公司，通過引進國內外專業技術及高端人才，匯聚多方資源，組建專業團隊，實現集成電路產業鏈中關鍵原材料和零配件的國產化，填補國內半導體級空白掩模版領域的空白。

根據國家知識產權官網公布的信息顯示，傳芯半導體公開了一項專利，名為“曝光成像結構、反射式光掩模版組及投影式光刻機”，該專利可用于EUV光刻，并且可以提高光刻機的分辨率和對比度，簡化光刻工藝。

中國多年來積極推動芯片產業鏈的國產化，但受制于該技術的高壁壘，用于生產芯片的光刻機成為中國半導體設備制造的[敏感詞]短板。

目前，中國光刻機相關的制造業尚不具備完全自主研發光刻技術的能力，美國通過長臂管轄限制中國光刻機領域的發展，倒逼中國未來需要繼續走自主的光刻機技術研發路線，中國半導體產業建立起一套完善的“去A化”的芯片產業鏈成為實現技術突破的必然選擇。


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