Max接合部溫度和保存溫度范圍

[敏感詞]接合部溫度是指半導(dǎo)體工作的[敏感詞]溫度。 另外，接合是指PN接合。
芯片溫度高于規(guī)定的[敏感詞]接合溫度時(shí)，在半導(dǎo)體結(jié)晶中生成多個(gè)電子孔對(duì)，芯片再不可作為元件正常工作。
因此，使用和進(jìn)行熱設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮IC消耗的功率引起的散熱或環(huán)境溫度。
[敏感詞]接合部溫度由制造工藝決定。
保存溫度范圍表示IC在不工作的狀態(tài)，即無消耗功率的狀態(tài)下保存環(huán)境的[敏感詞]溫度。
一般與[敏感詞]接合部溫度的值相同。

容許損耗（總損耗）

容許損耗（總損耗）PD表示環(huán)境溫度Ta=25℃(常溫)時(shí)IC可消耗的功率。 IC消耗功率時(shí)會(huì)自發(fā)熱，因此芯片溫度比環(huán)境溫度高。
由于芯片容許溫度由[敏感詞]接合部溫度決定，因此，可消耗功率受減熱曲線（降額曲線）限制。
封裝內(nèi)的IC芯片在25℃環(huán)境下的容許損耗由容許溫度（[敏感詞]接合部溫度）與封裝的熱電阻（散熱性）決定。
而接合溫度的[敏感詞]值由制造工藝決定。

IC的功率消耗產(chǎn)生的熱通過封裝的模具樹脂或引線框等散熱。
表示該散熱性（散熱難易度）的參數(shù)被稱為熱電阻，用符號(hào)θj-a[℃/W]表示。
可根據(jù)該熱電阻推測(cè)封裝內(nèi)部的IC溫度。
下圖表示封裝的熱電阻模型。θj-a表示芯片-外殼（封裝）間的熱電阻θj-c與外殼(封裝)-外部間的熱電阻θc-a之和。
只要知道了熱電阻θj-a、環(huán)境溫度Ta、消耗功率P的值，就可通過下式求出接合溫度。

下圖表示減熱曲線（降額曲線）的示例。
該曲線是表示在某環(huán)境溫度下IC可消耗多少功率的圖，表示IC芯片在不超出容許溫度的范圍內(nèi)可消耗的功率。
例如可考慮MSOP8的芯片溫度。
該IC的保存溫度范圍為-55[℃]～150[℃]，因此芯片的[敏感詞]容許溫度為150[℃]。MSOP8的熱電阻為θj-a≒212.8[℃/W]，該IC在Ta=25[℃]，消耗0.58[mW]的功率時(shí)，接合溫度為

可以發(fā)現(xiàn)，由于已達(dá)到芯片的[敏感詞]容許溫度，因此不能消耗更大的功率。 減熱曲線的每1[℃]的減少值由熱電阻的倒數(shù)決定。
此處，SOP8 ： 5.5[mW/℃]  SSOP-B8 ： 5.0[mW/℃]
MSOP8 ： 4.7[mW/℃]。