這里展示的電路圖是使用SiC MOSFET構(gòu)建的同步式升壓電路中最簡(jiǎn)單的橋式結(jié)構(gòu)。在這個(gè)電路中，SiC MOSFET的高側(cè)（HS）和低側(cè)（LS）交替導(dǎo)通，為了避免它們同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF狀態(tài)的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形圖展示了門(mén)極信號(hào)（VG）的時(shí)序。在這個(gè)電路中，HS和LS MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）的波形如下圖所示。這種波形表示了電感L中的電流處于連續(xù)動(dòng)作狀態(tài)，也就是所謂的硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

橫軸表示時(shí)間，時(shí)間范圍Tk（k=1～8）的定義如下：

T1： LS為ON時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段

T2： LS為ON時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段

T3： LS為ON時(shí)的時(shí)間段

T4： LS為OFF時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段

T5： LS為OFF時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段

T4～T6： HS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間

T7： HS為ON的時(shí)間段（同步整流時(shí)間段）

T8： HS為OFF時(shí)、LS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間