何為SiC功率模塊？隨著近年來，對半導體材料的要求及性能的不斷提高，單個功率器件已無法完全滿足需求，于是就有了功率模塊的出現(xiàn)，SiC功率模塊則是為了滿足對材料要求更高的電子電路所設(shè)計的，接下來跟隨薩科微小編詳細了解一下。

1. SiC功率模塊的電路構(gòu)成

現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型的模塊。
分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進行選擇。

2. SiC模塊的特征

大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊，
由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：

1. 開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化
   （例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化）

2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
   （例：電抗器或電容等的小型化）

主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。

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