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發布時間:2022-12-19作者來源:薩科微瀏覽:2545
近日,第68屆國際電子器件大會(IEDM 2022)在美國舊金山召開,其中清華大學集成電路學院錢鶴、吳華強團隊發表了4篇學術論文,報道了存算一體技術領域的[敏感詞]進展。四篇文章涉及單片三維集成混合存算一體架構、存算一體芯片的多尺度熱建模、基于存算一體的同態加密和存算通一體多個前沿領域。其中博士生安然和博士生李怡均發表的基于單片三維集成的混合存算一體架構工作獲得IEEE Brain[敏感詞]論文獎 (IEEE Brain “Best Paper” Award)。自2016年始,團隊已連續七年在IEDM大會上累計發表論文十八篇。
IEDM ( International Electron Devices Meeting ) 始于1955年,是國際微電子器件領域的[敏感詞]會議,在國際微電子領域享有權威的學術地位和廣泛的影響力,被譽為“微電子器件領域的奧林匹克盛會”。IEDM主要報道國際微電子器件領域的[敏感詞]研究進展,以及該領域極具應用前景的研究成果,是全球知名學術機構、高校以及行業領軍企業報告其[敏感詞]研究成果和技術突破的主要窗口與平臺,被稱為國際微電子器件領域的“風向標”。
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基于單片三維集成的混合存算一體架構
人工智能的快速發展對芯片的算力與能效提出了越來越高的要求。模擬型RRAM陣列能以極高的效率執行矩陣-向量乘法(MVM)運算,然而實際神經網絡還包含如邏輯、緩存、激活函數(如ReLU)和重排等操作,目前無法在RRAM陣列上有效執行。此外,RRAM陣列和緩存之間需要通過總線進行的頻繁數據傳輸,有限的帶寬也會導致顯著的延遲,限制計算的并行度。該論文提出了一種基于單片三維集成的混合存算一體架構,實現了硅CMOS邏輯層、基于RRAM的存算一體層和基于碳納米管(CNT)/氧化銦鎵鋅(IGZO)的近存計算層的片上垂直堆疊,通過高密度層間通孔(ILV)提供的超高帶寬優勢,可以高效地實現大規模復雜神經網絡運算。此外,該論文利用后道兼容低溫工藝首次實現基于CNT/IGZO的后道CFET結構,以此為基礎單元實現后道CMOS近存計算功能層,實現神經網絡層之間的緩存和邏輯運算。該工作以 A Hybrid Computing-In-Memory Architecture by Monolithic 3D Integration of BEOL CNT/IGZO-based CFET Logic and Analog RRAM 為題發表。材料學院博士生安然和集成電路學院博士生李怡均為該論文共同[敏感詞]作者,集成電路學院唐建石副教授、吳華強教授以及材料學院李正操教授為本論文共同通訊作者。
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基于RRAM的存算一體芯片的
多尺度熱模型
基于RRAM的存算一體芯片近年來得到了廣泛關注與研究,芯片的集成規模和算力不斷提高。但是,芯片的功耗密度,也在不斷提高。并且由于RRAM陣列在計算過程中會全并行開啟,造成局部的高功耗與熱點。而RRAM器件作為模擬器件,其電導對于溫度是敏感的,溫度的升高會造成RRAM電導的漂移,進而引起芯片計算精度下降。該工作對基于 RRAM 的存算一體芯片進行了多尺度熱建模,對影響溫度分布的散熱方式、技術節點、RRAM陣列功耗、ADC與DAC功耗等多種因素進行了評估。并結合 RRAM 緊湊模型研究了RRAM器件隨溫度的電導漂移,及其對神經網絡的精度退化的影響,并提出了有效的改善方法。該研究對基于RRAM的存算一體芯片運行深度神經網絡,改善溫度引起的計算精度下降具有重要參考價值。該工作以 A Multi-Scale Thermal Modeling of RRAM-based 3D Monolithic-Integrated Computing-in-Memory Chips 為題發表, 集成電路學院博士生馬阿旺為[敏感詞]作者,高濱副教授為通訊作者。
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基于存算一體的同態加密
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基于存算一體的混合預編碼
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