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漏源電壓(Vdss):60V
連續(xù)漏極電流(Id):115mA
功率(Pd):225mW
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA
閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
產(chǎn)品概述:
薩科微slkor中壓MOS管2N7002是一種N溝道功率MOSFET器件。它具有漏源電壓高達60V和連續(xù)漏極電流115mA的特性,可用于許多應用場合,如低電流驅(qū)動應用、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理和電池管理等。
主要特性:
- 漏源電壓高:器件漏源電壓高達60V,可適應各種電源電壓要求。
- 高效導通:導通電阻低,最小值為7.5Ω,能夠提供更高的效率。
- 高閾值電壓:閾值電壓高達2.5V,具有更好的抗干擾能力。
- 小封裝:采用SOT-23封裝,尺寸小巧,便于布局設(shè)計和集成。
產(chǎn)品規(guī)格:
- 產(chǎn)品名稱:中壓MOS管2N7002
- 類型:N溝道
- 漏源電壓(Vdss):60V
- 連續(xù)漏極電流(Id):115mA
- 功率(Pd):225mW
- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
- 封裝:SOT-23
應用領(lǐng)域:
- 低電流驅(qū)動應用
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 電源管理
- 電池管理
注意事項:
- 此產(chǎn)品需在指定條件下使用,超過規(guī)定條件可能會影響性能。
- 請在靜電防護條件下進行器件操作和存儲,以免影響器件質(zhì)量和壽命。
- 在進行器件操作時,請勿超過[敏感詞]額定值,以避免器件損壞和安全問題。
- 請勿在超過規(guī)定溫度下使用此產(chǎn)品,以避免影響器件壽命和性能。
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