據(jù)新財(cái)富統(tǒng)計(jì)，截至2022年11月，國(guó)內(nèi)已涌現(xiàn)出50家半導(dǎo)體獨(dú)角獸，產(chǎn)業(yè)鏈上中下游分別貢獻(xiàn)9、33、8家，總估值高達(dá)8584億元。睿力集成、紫光展銳、中芯集成分列前三，估值分別高達(dá)800億、600億、500億元。 50家獨(dú)角獸中，芯片設(shè)計(jì)公司共25家，占據(jù)半壁江山。其中，GPU、車規(guī)MCU等領(lǐng)域分別誕生了8家、5……

當(dāng)將MOS管采購(gòu)回來(lái)后我們?cè)撊绾芜M(jìn)行存放才能保障產(chǎn)品不被氧化，其使用時(shí)才不受影響？

晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR。它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。

進(jìn)入2022年后，全球消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)低迷，市場(chǎng)空間進(jìn)一步收縮，本土射頻前端行業(yè)深陷低端化內(nèi)卷的競(jìng)爭(zhēng)泥淖，向模組化、高端化市場(chǎng)進(jìn)階的需求日益迫切。隨著本土射頻廠商在高性能濾波器、雙工器/多工器上取得突破，突圍的曙光正愈加清晰。 作為深耕濾波器領(lǐng)域已逾十年的本……

近日，第68屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM 2022）在美國(guó)舊金山召開(kāi)，其中清華大學(xué)集成電路學(xué)院錢(qián)鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)發(fā)表了4篇學(xué)術(shù)論文，報(bào)道了存算一體技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。四篇文章涉及單片三維集成混合存算一體架構(gòu)、存算一體芯片的多尺度熱建模、基于存算一體的同態(tài)加密和存算通一體多個(gè)前沿領(lǐng)域。其中博士生安然和博士生李怡均發(fā)表的基于……

2022年12月10日，在金航標(biāo)/薩科微新總部神舟電腦大廈氣派的公司會(huì)議室，東莞精益生產(chǎn)研究會(huì)執(zhí)行會(huì)長(zhǎng)張俊杰為全體員工進(jìn)行了主題為“如何優(yōu)化和規(guī)范流程管理”的培訓(xùn)。金航標(biāo)www.kinghelm.com.cn薩科微www.slkoric.com總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō)，金航標(biāo)Kinghelm薩科微Slkor公司在做好新品研發(fā)和控……

美國(guó)同盟友商討收緊對(duì)華晶片出口后，傳聞中國(guó)準(zhǔn)備為半導(dǎo)體業(yè)推出總值超過(guò)人民幣1萬(wàn)億元，約相等于1430億美元的援助配套。 路透社引述的消息說(shuō)，北京計(jì)劃分五年，推出這個(gè)歷來(lái)最大的援助配套之一。配套將以補(bǔ)貼和稅務(wù)減免措施為主，以推動(dòng)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體生產(chǎn)和研發(fā)活動(dòng)。有關(guān)計(jì)劃最早可在明年第一季推行。這引起了美國(guó)一些議員對(duì)中國(guó)晶……

在第三代半導(dǎo)體材料中，SiC是商用化規(guī)模最大的一種，其在射頻、功率器件領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)增長(zhǎng)空間廣闊。SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)，為了更好地了解SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的商業(yè)化應(yīng)用情況，我司近期匯集多方資源，全面整理了有關(guān)SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的供應(yīng)商情況。 繼上期……

MOS管（也稱場(chǎng)效應(yīng)管），是MOSFET的縮寫(xiě)。場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

IGBT的應(yīng)用范圍是多少？可應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍 功率半導(dǎo)體分為以元件單位構(gòu)成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分，并分別有其適合的應(yīng)用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)（工作）頻率與輸出電容關(guān)系圖中的應(yīng)用范圍。 【功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍】 IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域

當(dāng)前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展迅猛，憑借其擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，搶灘節(jié)能減碳、汽車電子化等熱潮商機(jī)，市況逆勢(shì)大好。資本涌入，許多企業(yè)欲捕捉機(jī)遇，藉此搶占此市場(chǎng)先機(jī)。 ……

深圳將成立一個(gè)國(guó)際交易中心，打造萬(wàn)億級(jí)平臺(tái)企業(yè)。 12月9日，包括深圳華強(qiáng)在內(nèi)的多家公司公告稱，擬作為共同發(fā)起人，參與投資設(shè)立電子元器件和集成電路國(guó)際交易中心股份有限公司（下稱“電子元器件國(guó)際交……