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有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發(fā)絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達(dá)七層樓高，長度相當(dāng)于四個足球場。 微芯片在許多方面都是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的命脈。它們?yōu)殡娔X、智能手機(jī)、汽車、電器和其他許多電子產(chǎn)品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，導(dǎo)致全球短缺。

現(xiàn)在都流行“端到端”，我們就以手機(jī)通話為例，觀察信號從手機(jī)到基站的整個過程，來看看基帶和射頻到底是干什么用的。

作者 | 凌敏 自研 NPU 芯片，可能只是一個開始。 OPPO 發(fā)布首顆自研 NPU 芯片 在 12 月 14 日舉行的 OPPO 未來科技大會 2021 上，OPPO 正式發(fā)布首顆自研 NPU 芯片馬里亞納 MariSilicon X。據(jù) OPPO 創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官陳明永介紹，該芯片經(jīng)過 3 年研發(fā)，是……

近日，Canalys報告顯示，在連續(xù)幾個季度均以兩位數(shù)的勢頭強(qiáng)勁增長后，TWS出貨量似乎已臨近頂峰，增長率降至6.4%，2021年第二季度整體僅出貨5830萬臺，創(chuàng)三年以來新低。 據(jù)悉，2021年第二季度，全球個人智能音頻市場出貨量達(dá)9980萬臺，整體增長4.7%。AirPods TWS設(shè)備的出貨量在20……

臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋的那樣，半導(dǎo)體行業(yè)第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細(xì)看看這個演講的內(nèi)容。 半導(dǎo)體的第一個時代——IDM 最初……

（以下報告出品方/作者：中信建投證券/劉雙鋒，范彬泰） 一、物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動的電動化和智能化帶來功率半導(dǎo)體新周期 （一）復(fù)盤 2020-2021 年功率半導(dǎo)體周期：漲價與隱憂 自 2019 年底開始，5G 手機(jī)的普及率不斷上升，是整個半導(dǎo)體行業(yè)需求的動力來源。市場對未來幾年5G手機(jī)的……

在 電子小幫手電路中的設(shè)計原理 中，給出了實(shí)現(xiàn)電路電子開關(guān)電路分析。 電路的原理圖如下圖所示。 ▲ 開關(guān)電路簡化后的電路 在電路上電之前。開關(guān)"TEST"斷開，單片機(jī)也沒有通過VCC加電。此時，T1的基極通過R9(100k)接地，處于截止?fàn)顟B(tài)。T3的基級電……

國內(nèi)陀螺儀廠家 水木智芯科技（北京）有限公司 公司致力于MEMS陀螺芯片及加速度計芯片的設(shè)計、制造、測試、封裝、銷售及MEMS慣導(dǎo)單元的組裝。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于汽車、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)、電腦、精細(xì)農(nóng)業(yè)等高端消費(fèi)電子領(lǐng)域。努力填補(bǔ)中國在這個領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)空白。公司致力于打造集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的專業(yè)性高科技……

模擬 IC 仍然是當(dāng)今幾乎所有以數(shù)字為中心的系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。消費(fèi)類、計算、通信、汽車和工業(yè)/醫(yī)療系統(tǒng)依靠模擬設(shè)備來管理功耗并幫助延長便攜式設(shè)備的電池壽命。 每年的5~6月間，IC Insights都會按照各大公司的財報，總結(jié)出上一年度的全球模擬IC廠商銷售額排名。 6月2日，IC Insights……

一、芯片設(shè)計集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，而IC設(shè)計作為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游，是最具發(fā)展活力和創(chuàng)新的重要環(huán)節(jié)，具有高投入、高風(fēng)險、高產(chǎn)出的特點(diǎn)。 近年來中國芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)在提升自給率、政策支持、規(guī)格升級與創(chuàng)新應(yīng)用等要素的驅(qū)動下，保持了高速成長的趨勢。 根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，我國芯片設(shè)計行業(yè)保持了較快的增長態(tài)勢，2020年……

IGBIGBT的結(jié)構(gòu) 圖1所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)，溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。 而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用， 向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件