datasheet是芯片的使用說(shuō)明書(shū)，里面有芯片的產(chǎn)品簡(jiǎn)述、功能描述、特點(diǎn)、應(yīng)用、封裝、管腳圖、內(nèi)部框圖、極限參數(shù)、電氣參數(shù)等信息。今天，我們就來(lái)聊聊一款功能強(qiáng)大、特點(diǎn)豐富的三相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。我們會(huì)以一個(gè)輕松有趣的方式，分步驟地剖析其datasheet，讓大家對(duì)這款芯片有一個(gè)全面而深入的了解。

真空計(jì)是用于探測(cè)真空系統(tǒng)中氣體壓力的儀器，它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏、科研實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，不同種類(lèi)的真空計(jì)用于測(cè)量不同的真空水平，以確保系統(tǒng)內(nèi)的氣體壓力保持在指定的范圍內(nèi)。理解真空計(jì)的工作原理和選擇適合的真空計(jì)對(duì)精確控制工藝至關(guān)重要，特別是在半導(dǎo)體制造中，許多關(guān)鍵工藝需要在特定的真空條件下進(jìn)行，如蝕刻、沉積……

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA，Electronic Design Automation）是指一系列用于設(shè)計(jì)、分析和優(yōu)化電子系統(tǒng)和集成電路（IC）的軟件工具。這些工具幫助工程師們完成芯片設(shè)計(jì)中的復(fù)雜任務(wù)，包括設(shè)計(jì)數(shù)字電路、模擬電路、驗(yàn)證電路功能、優(yōu)化性能等。通過(guò)使用EDA工具，工程師們可以在設(shè)計(jì)芯片時(shí)提高效率、減少錯(cuò)誤，并且更……

晶面和晶向是晶體學(xué)中兩個(gè)核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系。 1. 晶向的定義與性質(zhì) 晶向代表晶體中一個(gè)特定方向，通常用晶向指數(shù)來(lái)表示。晶向通過(guò)連接晶體結(jié)構(gòu)中任意兩個(gè)晶格點(diǎn)來(lái)定義，并且有以下幾個(gè)特性：每個(gè)晶向上都包含無(wú)窮多個(gè)格點(diǎn)；同一個(gè)晶向可以有多個(gè)平行的晶向組成一個(gè)晶向簇；晶向簇覆……

在半導(dǎo)體和光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，材料生長(zhǎng)技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色。無(wú)論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發(fā)光二極管（LED），這些現(xiàn)代電子設(shè)備都依賴于半導(dǎo)體材料的制備。而外延生長(zhǎng)技術(shù)正是其中重要的一環(huán)，它幫助我們?cè)诰w襯底上精確地構(gòu)建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。 無(wú)論是化學(xué)氣相沉積（CVD）還是分子束外延（MB……

謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來(lái)東莞松山湖交流，同時(shí)也參加了阿里的電子元件出海培訓(xùn)，分享一下紀(jì)要： 1、中低端電子產(chǎn)業(yè)向東南亞等轉(zhuǎn)移的趨勢(shì) 歐美→日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣→中國(guó)大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動(dòng)力成本、巨大的需求等優(yōu)勢(shì)，中低端的電子產(chǎn)業(yè)逐漸從中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移到越南等東南亞國(guó)家。下面以……

截至2022年底，深圳合計(jì)有587家IC企業(yè)，其中IC設(shè)計(jì)企業(yè)390家，晶圓制造企業(yè)7家，封測(cè)企業(yè)70家，設(shè)備企業(yè)79家，材料企業(yè)為41家，主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國(guó)產(chǎn)IC設(shè)計(jì)企業(yè)產(chǎn)值約724億元，僅次于上海1350億元、北京846億元。 圖：IC設(shè)計(jì)行業(yè)產(chǎn)值城市排名，來(lái)自清華魏少軍老師 ……

功率管的最主要的應(yīng)用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對(duì)流經(jīng)器件的電流進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺(tái)），器件導(dǎo)通電阻越低，其導(dǎo)通損耗就越低。其次，器件在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換時(shí)，柵極電荷越小，器件的開(kāi)關(guān)速度就越快，其動(dòng)態(tài)損耗就越低。 圖：MOS管結(jié)構(gòu) 對(duì)于功率MO……

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類(lèi)適當(dāng)化學(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動(dòng)下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯……

1、CMP工藝簡(jiǎn)介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學(xué)機(jī)械拋光，是一個(gè)將晶圓表面打磨得光滑平整的過(guò)程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……

MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標(biāo)，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標(biāo)。 通常來(lái)說(shuō)，MOS管的單位面積導(dǎo)通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關(guān)注優(yōu)值系數(shù)，單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關(guān)系，因此對(duì)于超低壓MOSFET選取單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標(biāo)。 單位面積導(dǎo)通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導(dǎo)通狀態(tài)下，

1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫：半導(dǎo)體器件在較高的溫度下……