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聊聊高壓CMOS工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 874
高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優勢,使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景,HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎CM……
晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1101
在制造集成電路時,有時候我們需要在硅片(也就是晶圓)表面上沉積一些特定的材料層,比如氮化硅(Si?N?)或氮氧化硅(SiON)。這些材料層不能直接從基板上生成,所以我們采用化學氣相沉積(CVD)這種方法。 CVD的原理是:我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中,然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……
寸土寸金的晶圓為啥要留平邊(flat)或凹槽(notch)?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1113
晶圓上留下的平邊(flat)或凹槽(notch)主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別 硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的,硅晶錠的晶向(晶體結構排列的方向)對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見的(100)、(110)和(111)晶向,不……
一文讀懂先進封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 880
先進封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點)、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能,從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer(晶圓):基礎材料和封裝載體 Wafer 是先進封裝的基礎,作為芯片……
聊聊光刻機的原理、現狀與未來
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1134
光刻機是半導體制造過程中的關鍵設備,相當于芯片制造工藝的“印刷機”,它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據不同光源類型,光刻機可以分為UV(紫外線)、DUV(深紫外線)和EUV(極紫外線)三大類。光刻機的分辨率主要由兩個參數決定:光源的波長(λ)和物鏡系統的數值孔徑(NA)。簡單來說,波……
先進封裝核心技術之一:TSV
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 818
在先進封技術中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一種關鍵的垂直互連技術,它通過在芯片內部打通的通道實現了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數據傳輸效率,減少信號延遲,降低功耗,并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術的詳細解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……
芯片設計之功能邏輯仿真
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 瀏覽次數: 841
Functional Logic Simulation可以看作是芯片設計的“邏輯驗證”階段,確保設計功能如預期工作。它的主要目的是在時序無關的情況下,確認芯片的邏輯結構是否正確。這個步驟幫助工程師在芯片制造之前,發現并修正設計中的邏輯錯誤。
為啥6寸晶圓用平邊,8/12寸晶圓用notch?
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 瀏覽次數: 1283
最近讀者提問:“6寸晶圓用平邊,8/12寸晶圓用notch,用Notch 比平邊好,為啥6寸還是用平邊”這個問題時,我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設備兼容性等多個角度進行分析。
聊聊晶圓和芯片量產階段的full-mask
  • 更新日期: 2024-09-06
  • 瀏覽次數: 1220
在集成電路工藝中,“full-mask”是一個關鍵概念,它涉及到半導體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學工具。掩模版上有微小的圖案,這些圖案將通過光刻過程轉移到硅片的光刻膠上,從而定義了芯片的功能區和布線層。
SOI晶圓的結構、分類、優勢、下游應用
  • 更新日期: 2024-09-02
  • 瀏覽次數: 1035
SOI(Silicon-On-Insulator)是一種半導體制造技術,其中硅晶圓的一部分被絕緣層(通常是二氧化硅)隔離開來,這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流,提升器件性能。
如何理解晶圓制造的良率(Yield)
  • 更新日期: 2024-08-27
  • 瀏覽次數: 1468
在晶圓制造中,良率的管理和提升是一個復雜而持續的過程,需要在工藝、設計、材料、設備等多個方面進行綜合的優化和管理。通過數據的分析、持續改進的策略、客戶協同的優化,最終實現良率的最大化,提高產品質量和產線效率。
萬物智聯時代,RISC-V與AI的融合之路該如何走?
  • 更新日期: 2024-08-21
  • 瀏覽次數: 1335
在全球科技飛速發展的背景下,RISC-V與人工智能(AI)的結合成為了業內關注的焦點,8月19日,第四屆滴水湖中國RISC-V產業論壇在上海臨港滴水湖畔召開,北京大學講席教授、RISC-V國際基金會人工智能與機器學習專委會主席謝濤發表了《萬物智聯時代RISC-V+AI之路》演講,分析了RISC-V與AI技術的結合及其發……

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