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晶圓測(cè)試與芯片測(cè)試有什么不同？

更新日期： 2024-08-19
瀏覽次數(shù)： 946

晶圓測(cè)試（CP）屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬(wàn)顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對(duì)測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的測(cè)試廠商通過(guò)精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開(kāi)與其他對(duì)手的差距。

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先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS分享紀(jì)要

更新日期： 2024-08-16
瀏覽次數(shù)： 1326

臺(tái)積電的CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，旨在提升集成電路的性能、減小封裝尺寸，并有效降低功耗。CoWoS技術(shù)通過(guò)在一個(gè)硅中介層（Interposer）上集成多個(gè)芯片（或芯片組），形成一個(gè)高性能的封裝解決方案。該技術(shù)主要應(yīng)用于需要高帶寬和低延遲的高性能計(jì)算……

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Semicon半導(dǎo)體工藝：干法刻蝕與濕法刻蝕的區(qū)別和特點(diǎn)

更新日期： 2024-08-16
瀏覽次數(shù)： 1422

半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過(guò)程。刻蝕工藝通常位于光刻工藝之后，利用刻蝕工藝對(duì)定義圖形的光阻層侵蝕少而對(duì)目標(biāo)材料侵蝕大的特點(diǎn)，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕工藝主要分為干法和濕法兩種。

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3納米制程芯片為什么需要EUV光刻機(jī)和多重曝光技術(shù)？

更新日期： 2024-08-16
瀏覽次數(shù)： 1294

晶圓制造工藝是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，特別是在3納米制程中，挑戰(zhàn)會(huì)更加顯著。讓我們一步步來(lái)理解EUV（極紫外光刻）多重圖案（Multi-Patterning）技術(shù)在實(shí)現(xiàn)圖案分辨率時(shí)所面臨的挑戰(zhàn)。

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晶圓制造中的“鳥(niǎo)喙效應(yīng)”（bird beak）

更新日期： 2024-08-16
瀏覽次數(shù)： 1118

集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥(niǎo)喙效應(yīng)”（bird beak），這是一種在氧化硅生長(zhǎng)過(guò)程中，由于氧化物側(cè)向擴(kuò)展引起的現(xiàn)象。

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第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類(lèi)、技術(shù)指標(biāo)、生長(zhǎng)工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析

更新日期： 2024-08-15
瀏覽次數(shù)： 1013

根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性:

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晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

更新日期： 2024-08-15
瀏覽次數(shù)： 1358

在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù)，尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。

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華為海思半導(dǎo)體成功背后的男人和女人

更新日期： 2024-08-14
瀏覽次數(shù)： 1274

海思的名字從何而來(lái)？HiSilicon來(lái)自Huawei Silicon的縮寫(xiě)。海既是Hi的諧音，又有深邃的意思，加上“思”與“silicon”發(fā)音近似，所以中文取名海思。

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電子元器件的下一站是出海？

更新日期： 2024-08-14
瀏覽次數(shù)： 1243

歐美→日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣→中國(guó)大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動(dòng)力成本、巨大的需求等優(yōu)勢(shì)，中低端的電子產(chǎn)業(yè)逐漸從中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移到越南等東南亞國(guó)家。下面以越南為例。

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晶圓代工巨頭臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀

更新日期： 2024-08-14
瀏覽次數(shù)： 1498

張忠謀，臺(tái)灣晶圓制造之開(kāi)創(chuàng)者也。祖籍浙江寧波，少時(shí)聰慧好學(xué)，天資卓絕。生于1931年，家道書(shū)香，父母敦教，讀書(shū)不輟。然抗戰(zhàn)時(shí)期，民生艱難，輾轉(zhuǎn)避亂，然其志不改，學(xué)業(yè)精進(jìn)。

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為什么硅片是圓形的，芯片是方形的？

更新日期： 2024-08-13
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雖然硅片是圓形的，但是在其上制作芯片時(shí)，為了最大限度地利用空間，減少浪費(fèi)，通常會(huì)在硅片上設(shè)計(jì)成多個(gè)方形或矩形的芯片布局。方形芯片在圓形硅片上排列得更加緊密。

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深圳線(xiàn)下沙龍交流紀(jì)要：TSV、TGV、2.5D/3D、Hybrid Bonding等先進(jìn)封裝技術(shù)要點(diǎn)

更新日期： 2024-08-13
瀏覽次數(shù)： 1060

我們每次活動(dòng)都有交流主題和專(zhuān)家級(jí)的業(yè)內(nèi)人士參與，這次活動(dòng)準(zhǔn)備了TSV和TGV的PPT課件給到參會(huì)者、嘉賓也分享了各自的學(xué)習(xí)資料和經(jīng)驗(yàn)。歡迎各位朋友參加后續(xù)活動(dòng)。

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