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MOS管參數(shù)解析及國(guó)內(nèi)外大廠技術(shù)對(duì)比
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1155
MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標(biāo),也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標(biāo)。 通常來說,MOS管的單位面積導(dǎo)通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關(guān)注優(yōu)值系數(shù),單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關(guān)系,因此對(duì)于超低壓MOSFET選取單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標(biāo)。 單位面積導(dǎo)通電阻(Ronsp),主要用于衡量功率器件導(dǎo)通狀態(tài)下,
第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標(biāo)、生長(zhǎng)工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析
  • 更新日期: 2024-09-19
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1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè):新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》,與硅相比,碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓:擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大,是硅的10倍,用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度,并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫:半導(dǎo)體器件在較高的溫度下……
瀾起科技:存儲(chǔ)接口芯片、發(fā)展歷程
  • 更新日期: 2024-09-19
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瀾起科技:成立于2004年,2019年上市,擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國(guó)際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司。 行業(yè)地位:瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務(wù)器內(nèi)存模組的必配芯片,已成功進(jìn)入國(guó)際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計(jì)算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場(chǎng)及行業(yè)……
CMOS圖像傳感器(CIS)分類及特點(diǎn)
  • 更新日期: 2024-09-19
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CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置,主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。 在背照式結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,還可以進(jìn)一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步改良,在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層,再將兩層芯片疊在一起,芯片的整體面積被極大地縮減。此外,感光元件周圍的邏輯電路也相應(yīng)移至底層,可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。 采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同
功率半導(dǎo)體中超結(jié)MOS管基礎(chǔ)知識(shí)
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1163
1. 背景知識(shí) 在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。 MOSFET,全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor),是一種非常重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個(gè)開關(guān),……
固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片簡(jiǎn)析
  • 更新日期: 2024-09-19
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固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件,負(fù)責(zé)與整機(jī)CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、服務(wù)器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件(FW)一起,實(shí)現(xiàn)對(duì)固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、NAND壽命均衡、垃圾……
紅外線及紅外成像儀原理介紹
  • 更新日期: 2024-09-19
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1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質(zhì)上屬于電磁波,根據(jù)波長(zhǎng)不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制,人類只能對(duì)波長(zhǎng)在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進(jìn)行感知,無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術(shù)是通過光學(xué)……
晶圓制造為什么需要退火工藝?
  • 更新日期: 2024-09-19
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退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火(annealing)是一種熱處理工藝……
硅晶棒切割成晶圓的技術(shù)難點(diǎn)
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1114
硅晶棒切割技術(shù)涉及多個(gè)方面的技術(shù)難點(diǎn),需要綜合考慮機(jī)械、材料、熱力學(xué)、流體力學(xué)等多學(xué)科的知識(shí),才能實(shí)現(xiàn)高效、高質(zhì)量的硅片切割。 硅晶棒切割是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步,其技術(shù)難點(diǎn)主要集中在以下幾個(gè)方面: 1. 切割精度 切割硅晶棒需要高度精確,以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……
光刻機(jī)分類
  • 更新日期: 2024-09-19
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光刻機(jī)按光源類型可分為五類:I-line光刻機(jī)、KrF光刻機(jī)、ArF光刻機(jī)、ArFi光刻機(jī)(即ArF浸沒式光刻機(jī),與ArF光刻機(jī)相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜)、EUV光刻機(jī)。按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機(jī)和IC后道光刻機(jī)。其中,IC前道光刻機(jī)主要應(yīng)用于芯片制造,而后道光刻機(jī)主要用于芯片封裝。 ……
晶圓Fab廠哪家強(qiáng)?臺(tái)積電、SMIC、華虹業(yè)績(jī)、產(chǎn)能PK
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1047
收入:中芯國(guó)際相當(dāng)于臺(tái)積電的十分之一,華虹相當(dāng)于中芯國(guó)際四分之一
黑神話悟空的電腦配置參數(shù)解釋
  • 更新日期: 2024-09-19
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《黑神話:悟空》是一款國(guó)產(chǎn)的單機(jī)動(dòng)作類角色扮演游戲,以西游記為題材。 玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數(shù)解釋如下: 最低配置說明:最低配置是指運(yùn)行某個(gè)軟件或游戲時(shí),設(shè)備所需的最低硬件和軟件規(guī)格。這意味著,您的電腦至少需要達(dá)到這些配置要求,才能正常運(yùn)行該軟件或者游戲。 1、操作系統(tǒng)……

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