FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過(guò)增強(qiáng)柵極控制和降低漏電流，實(shí)現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體器件是至關(guān)重要的。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術(shù)的應(yīng)用也變得越來(lái)越普遍和重要。 1. 背景：傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節(jié)點(diǎn)），我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn)： 短溝道效應(yīng)：隨著晶體管的柵極長(zhǎng)度縮短，柵極對(duì)溝道的控制能力減

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中。 圖：存儲(chǔ)芯片分類 與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）不同，DRAM需要周期性地刷新來(lái)保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，這就是“動(dòng)態(tài)”的含義。每個(gè)DRAM單元……

高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時(shí)具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢(shì)，使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個(gè)領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無(wú)論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場(chǎng)景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎(chǔ)CM……

在制造集成電路時(shí)，有時(shí)候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學(xué)氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應(yīng)室中，然后通過(guò)加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過(guò)程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識(shí)別 硅晶圓是由單晶硅錠通過(guò)切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結(jié)構(gòu)排列的方向）對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見(jiàn)的（100）、（110）和（111）晶向，不……

先進(jìn)封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點(diǎn)）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們?cè)诜庋b工藝中各自承擔(dān)的功能，從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎(chǔ)材料和封裝載體 Wafer 是先進(jìn)封裝的基礎(chǔ)，作為芯片……

光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，相當(dāng)于芯片制造工藝的“印刷機(jī)”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據(jù)不同光源類型，光刻機(jī)可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機(jī)的分辨率主要由兩個(gè)參數(shù)決定：光源的波長(zhǎng)（λ）和物鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑（NA）。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，波……

在先進(jìn)封技術(shù)中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關(guān)鍵的垂直互連技術(shù)，它通過(guò)在芯片內(nèi)部打通的通道實(shí)現(xiàn)了電氣信號(hào)的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率，減少信號(hào)延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對(duì)TSV技術(shù)的詳細(xì)解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……

Functional Logic Simulation可以看作是芯片設(shè)計(jì)的“邏輯驗(yàn)證”階段，確保設(shè)計(jì)功能如預(yù)期工作。它的主要目的是在時(shí)序無(wú)關(guān)的情況下，確認(rèn)芯片的邏輯結(jié)構(gòu)是否正確。這個(gè)步驟幫助工程師在芯片制造之前，發(fā)現(xiàn)并修正設(shè)計(jì)中的邏輯錯(cuò)誤。

最近讀者提問(wèn)：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個(gè)問(wèn)題時(shí)，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設(shè)備兼容性等多個(gè)角度進(jìn)行分析。

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個(gè)關(guān)鍵概念，它涉及到半導(dǎo)體制造過(guò)程中掩模版的使用。掩模版是半導(dǎo)體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學(xué)工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過(guò)光刻過(guò)程轉(zhuǎn)移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開(kāi)來(lái)，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。