FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創新的三維晶體管結構，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現了更高效的晶體管性能。這對于實現更小、更快、更節能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節點的不斷縮小，FinFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統平面晶體管的局限性 在傳統的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節點的縮?。ū热鐝?0nm到65nm再到更小的節點），我們遇到了以下技術挑戰： 短溝道效應：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲數據的半導體器件，廣泛應用于計算機和其他電子設備中。 圖：存儲芯片分類 與SRAM（靜態隨機存取存儲器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲的數據，這就是“動態”的含義。每個DRAM單元……

高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優勢，使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎CM……

在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別 硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結構排列的方向）對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不……

先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎材料和封裝載體 Wafer 是先進封裝的基礎，作為芯片……

光刻機是半導體制造過程中的關鍵設備，相當于芯片制造工藝的“印刷機”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據不同光源類型，光刻機可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機的分辨率主要由兩個參數決定：光源的波長（λ）和物鏡系統的數值孔徑（NA）。簡單來說，波……

在先進封技術中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關鍵的垂直互連技術，它通過在芯片內部打通的通道實現了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數據傳輸效率，減少信號延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術的詳細解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……

Functional Logic Simulation可以看作是芯片設計的“邏輯驗證”階段，確保設計功能如預期工作。它的主要目的是在時序無關的情況下，確認芯片的邏輯結構是否正確。這個步驟幫助工程師在芯片制造之前，發現并修正設計中的邏輯錯誤。

最近讀者提問：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個問題時，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設備兼容性等多個角度進行分析。

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個關鍵概念，它涉及到半導體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區和布線層。

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導體制造技術，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。