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發(fā)布時間:2022-11-03作者來源:薩科微瀏覽:4755
晶體三極管基本概述
晶體三極管的分類
晶體三極管結(jié)構(gòu)圖解
(以NPN型晶體管為例)
晶體三極管工作原理詳解
(以NPN型晶體管為例)
根據(jù)晶體三極管的集電結(jié)和發(fā)射結(jié)的偏置情況,NPN型晶體三極管具有4種工作區(qū)間,如表1所示。
正向放大區(qū)(或簡稱放大區(qū)):當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置時,晶體管工作在放大區(qū)。大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計目標(biāo),是為了在正向放大區(qū)得到[敏感詞]的共射極電流增益。晶體管工作在這一區(qū)域時,集電極-發(fā)射極電流與基極電流近似成線性關(guān)系。由于電流增益的緣故,當(dāng)基極電流發(fā)生微小的擾動時,集電極-發(fā)射極電流將產(chǎn)生較為顯著變化。
反向放大區(qū):當(dāng)發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)正向偏置時,晶體管工作在反向放大區(qū)。此時發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的作用與正向放大區(qū)正好相反,但由于集電區(qū)的摻雜濃度低于發(fā)射區(qū),反向放大區(qū)產(chǎn)生的放大效果小于正向放大區(qū)。而大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計目標(biāo)是盡可能得到[敏感詞]正向放大電流增益,因此在實際這種工作模式幾乎不被采用。
飽和區(qū):當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置時,晶體管工作在飽和區(qū)。此時晶體管發(fā)射極到集電極的電流達到[敏感詞]值。即使增加基極電流,輸出的電流也不會再增加。飽和區(qū)可以在邏輯器件中用來表示高電平。
截止區(qū):當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置時,晶體管工作在截止區(qū)。在這種工作模式下,輸出電流非常小(小功率的硅晶體管小于1微安,鍺晶體管小于幾十微安),在邏輯器件中可以用來表示低電平。
正向放大區(qū): 內(nèi)部載流子的運動詳解
發(fā)射結(jié)加正向電壓,擴散運動形成發(fā)射極電流IE
擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運動形成基極電流IB
集電結(jié)加反向電壓,漂移運動形成集電極電流IC
晶體三極管的特性曲線
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