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美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)呼吁投資半導(dǎo)體研發(fā)的5個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域

發(fā)布時(shí)間:2022-11-09作者來源:薩科微瀏覽:1626


片本土制造、成熟芯片生產(chǎn)以及半導(dǎo)體研發(fā);韓國(guó)加強(qiáng)合作,將建立“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶,旨在建立集半導(dǎo)體生產(chǎn)、原材料、零部件、設(shè)備和[敏感詞]設(shè)備、設(shè)計(jì)等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群;中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)提供行業(yè)指導(dǎo),通過評(píng)估整體半導(dǎo)體研發(fā)及其對(duì)產(chǎn)業(yè)需求的覆蓋面來支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展,避免投資平均化或關(guān)鍵領(lǐng)域經(jīng)費(fèi)投入不足等現(xiàn)象。與此同時(shí),2021年以來,日本、新加坡、韓國(guó)、歐盟等都宣布立法支持本國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)能,中國(guó)也加大投資用于支持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

如果美國(guó)缺乏對(duì)半導(dǎo)體創(chuàng)新商業(yè)化的支持可能會(huì)加速其它競(jìng)爭(zhēng)國(guó)家或地區(qū)在該領(lǐng)域的發(fā)展,因此報(bào)告呼吁通過投資規(guī)模化路徑研究、研究基礎(chǔ)設(shè)施、開發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施、全棧協(xié)同創(chuàng)新、勞動(dòng)力培養(yǎng)五個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域來加強(qiáng)美國(guó)研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)的能力。

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一、規(guī)模化路徑研究

NSTCNAPMP應(yīng)該幫助彌合早期研發(fā)和規(guī)模化生產(chǎn)之間的缺口,促進(jìn)早期技術(shù)的轉(zhuǎn)化和規(guī)模化,評(píng)估并投資美國(guó)產(chǎn)業(yè)界所需的早期技術(shù)。NSTCNAPMP應(yīng)建立和加強(qiáng)新興領(lǐng)域的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)能力,面向5-15年后投產(chǎn)的技術(shù)開展研發(fā)和商業(yè)化,研發(fā)資金投入將包括核心半導(dǎo)體技術(shù)和封裝技術(shù)兩方面。

核心半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)應(yīng)該強(qiáng)調(diào)長(zhǎng)期的、潛在的革命性的突破,包括材料、工藝、工具等方面的創(chuàng)新。這些創(chuàng)新領(lǐng)域包括:1)用于邏輯、存儲(chǔ)和模擬的先進(jìn)架構(gòu),如:3D堆疊器件、單片式集成、以存儲(chǔ)為中心的計(jì)算;(2)超越CMOS先進(jìn)材料,如:二維材料、先進(jìn)功能材料、光子或神經(jīng)形態(tài)等新計(jì)算范式材料、高壓高功率材料、先進(jìn)射頻材料;(3通用工藝,如:先進(jìn)光刻技術(shù)、先進(jìn)光源和極紫外改進(jìn)、金屬化工藝改進(jìn);(4設(shè)計(jì)創(chuàng)新,如:面向更多應(yīng)用的領(lǐng)域?qū)S眉铀倨鳌⒒旌闲盘?hào)設(shè)計(jì)、智能和傳感能力集成、安全設(shè)計(jì);(4工具改進(jìn),如:將人工智能集成到設(shè)計(jì)工具中并實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)抽象性、用于模擬和射頻電路的高級(jí)工具、增強(qiáng)全棧優(yōu)化和硬件軟件協(xié)同設(shè)計(jì)的工具;(5環(huán)境可持續(xù)性,如:全球升溫潛能值(GWP)較低的工藝氣體、光刻和其他化學(xué)品的環(huán)境改善和極低濃度檢測(cè)及處理技術(shù)、自然資源(能源、水等)友好型制造工藝。

先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)有助于解決半導(dǎo)體行業(yè)中短期挑戰(zhàn)。相比于基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料和工藝進(jìn)步,先進(jìn)封裝的規(guī)模化可以更快、更便宜,在NSTCNAPMP成立的5-10年內(nèi)(或更短時(shí)間內(nèi))產(chǎn)生商業(yè)影響。這些創(chuàng)新領(lǐng)域包括:1先進(jìn)測(cè)試和驗(yàn)證能力,如:測(cè)試設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)分析以減少設(shè)計(jì)誤差、測(cè)試自動(dòng)化和AI/ML集成工具、模擬/射頻/混合信號(hào)的測(cè)試;(2異構(gòu)集成,如:制定行業(yè)集成標(biāo)準(zhǔn)、Chiplet IP開發(fā)與獲取、新型計(jì)算范式(光子、量子等)的集成方法;(3先進(jìn)封裝和高密度互連<100 μm I/O pitch),如:面板和晶圓級(jí)高帶寬、低延遲高密度2.5D3D堆疊和組裝方法;混合鍵合、硅穿孔和先進(jìn)中介層(interposer)工藝;提高器件壽命的先進(jìn)熱壓縮鍵合;熱管理以及減少串?dāng)_、噪聲、寄生等;靈活且受約束的面積縮小封裝;(4工具改進(jìn),如:封裝級(jí)協(xié)同設(shè)計(jì)工具;卓越的電、熱、機(jī)械建模和設(shè)計(jì)工具;組裝和對(duì)準(zhǔn)自動(dòng)化。

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二、研究基礎(chǔ)設(shè)施&開發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施

NSTCNAPMP應(yīng)在擴(kuò)大、升級(jí)和提供研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施方面發(fā)揮積極作用,促進(jìn)基礎(chǔ)設(shè)施或先進(jìn)仿真和建模軟件的使用。NSTCNAPMP的設(shè)施投入應(yīng)與研發(fā)優(yōu)先事項(xiàng)保持一致,既不能平均分配,也不能集中在單一技術(shù)或地點(diǎn),而應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求,在分布式利益和規(guī)模利益間權(quán)衡,以擴(kuò)展和升級(jí)少數(shù)現(xiàn)有機(jī)構(gòu)的獨(dú)特能力及基礎(chǔ)設(shè)施。具體而言,NSTCNAPMP應(yīng)盡可能利用現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施和《美國(guó)芯片法案》提供的資金,并協(xié)調(diào)現(xiàn)有資源加快創(chuàng)新。這對(duì)于加速和擴(kuò)大商業(yè)化的試點(diǎn)工作和原型設(shè)計(jì)尤為重要。NSTCNAPMP應(yīng)該通過提供原型制作和規(guī)模擴(kuò)大,為有前途的技術(shù)建立轉(zhuǎn)化路徑。

總體而言,NSTCNAPMP應(yīng)升級(jí)先進(jìn)仿真或建模軟件、樣品驗(yàn)證等研究設(shè)施生態(tài)系統(tǒng)以及原型設(shè)計(jì)和先導(dǎo)中心、掩模設(shè)施等開發(fā)設(shè)施生態(tài)系統(tǒng),并促進(jìn)研究人員和初創(chuàng)企業(yè)對(duì)設(shè)施、工具和服務(wù)的訪問。

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三、全棧式協(xié)同創(chuàng)新

NSTCNAPMP應(yīng)通過召集公司解決復(fù)雜的技術(shù)問題來支持全棧式創(chuàng)新,并加速技術(shù)、工具和方法的開發(fā)。正如摩爾定律所描述的那樣,隨著開發(fā)和設(shè)計(jì)成本的上升,改進(jìn)計(jì)算機(jī)技術(shù)的工程方法正在發(fā)生變化。半導(dǎo)體發(fā)展的下一個(gè)階段需要整個(gè)計(jì)算堆棧的全棧式創(chuàng)新,從材料和設(shè)計(jì)到系統(tǒng)架構(gòu)和軟件進(jìn)行全方面覆蓋。例如,對(duì)云計(jì)算數(shù)據(jù)中心需求的快速增長(zhǎng),突顯了對(duì)能夠提供低功耗高性能計(jì)算的半導(dǎo)體的需求。滿足此需求的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新需要將先進(jìn)材料、新的計(jì)算架構(gòu)、封裝、軟件等方面的專業(yè)知識(shí)結(jié)合起來。全棧式創(chuàng)新很難,當(dāng)前半導(dǎo)體公司往往高度專業(yè)化,沒有一家公司擁有下一代計(jì)算技術(shù)全棧式創(chuàng)新所需的所有技能和資源。美國(guó)的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)目前缺乏協(xié)調(diào)不同組織、不同部門進(jìn)行全棧式創(chuàng)新的機(jī)制。

NSTCNAPMP必須在整個(gè)行業(yè)內(nèi)廣泛合作,維持一個(gè)廣泛且具有代表性的行業(yè)伙伴網(wǎng)絡(luò),建立多樣化的研發(fā)技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施組合,以促進(jìn)協(xié)同開發(fā)、協(xié)同優(yōu)化和異構(gòu)集成等領(lǐng)域創(chuàng)新。

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四、勞動(dòng)力培養(yǎng)

NSTCNAPMP應(yīng)該推動(dòng)一系列計(jì)劃,擴(kuò)大美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)創(chuàng)新和勞動(dòng)力規(guī)模及技能,以加強(qiáng)美國(guó)的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)和經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)力。半導(dǎo)體行業(yè)是研發(fā)密集型產(chǎn)業(yè),依靠高技能勞動(dòng)力進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和價(jià)值鏈相關(guān)活動(dòng)的高技能研發(fā)人員的供應(yīng)不足可能會(huì)限制創(chuàng)新的步伐。與此同時(shí),其他國(guó)家或地區(qū)正在積極吸引本國(guó)公民回國(guó),并提供廣泛的政策支持,以加強(qiáng)本國(guó)的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)。為擴(kuò)大美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)勞動(dòng)力,NSTCNAPMP可實(shí)施的關(guān)鍵措施有:投資美國(guó)STEM教育(夏令營(yíng)、獎(jiǎng)學(xué)金等)、吸引STEM工作者進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)(學(xué)徒、實(shí)習(xí)、職業(yè)規(guī)劃等)、授予靈活的工作簽證、投資工人的再培訓(xùn)和技能提升、加速新員工的培育工作。


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