多年來，硅基半導(dǎo)體（如硅功率MOSFET）在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中一直占據(jù)著至高無上的地位。許多硅功率器件制造商已經(jīng)擴大了他們的產(chǎn)品線。然而，在過去的幾年里，這些參與者在電力電子領(lǐng)域的獨特能力逐漸消退，開啟了GaN半導(dǎo)體器件市場產(chǎn)品開發(fā)的新時代。 

對GaN半導(dǎo)體器件的需求已經(jīng)蓬勃發(fā)展，以滿足多個行業(yè)中不斷擴大的電力電子應(yīng)用。研發(fā)很早就開始了——也許是從過去十年開始的。 

產(chǎn)品開發(fā)勢頭積極，基于這些寬帶隙半導(dǎo)體器件的高性能、低成本開發(fā)、高功率密度和能效的領(lǐng)域。有趣的是，盡管被視為硅基技術(shù)的飛躍技術(shù)，但它們的成本較低，這是因為可以使用與硅半導(dǎo)體相同的程序制造這些技術(shù)。 

隨著技術(shù)的不斷進步，生產(chǎn)成本只會進一步降低，從而刺激GaN半導(dǎo)體器件市場中新型器件的商業(yè)化步伐。基于GaN半導(dǎo)體的電力電子器件除了在功率轉(zhuǎn)換中的大量使用外，還在RF和模擬應(yīng)用中取得了前所未有的滲透。 

不斷有新進入者進入GaN半導(dǎo)體器件的豐富機會。他們不斷增加功能，特別是在GaN晶體管方面，并使價格具有競爭力，以獲得GaN半導(dǎo)體器件市場的更高份額。 

引人注目的是，其中一些公司提供的產(chǎn)品有望比[敏感詞]的硅基器件具有更好的功率密度和效率。一個恰當(dāng)?shù)睦邮窃S多公司在GaNHEMT器件（eHEMT）上進行研發(fā)。首先，德國半導(dǎo)體公司英飛凌科技股份公司（InfineonTechnologiesAG）正在提供用于開關(guān)模式電源電路的GaNHEMT器件。有趣的是，其產(chǎn)品旨在提供高達600V的電壓范圍內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換。因此，小型GaNFET中的新設(shè)計機會有望為消費電子、汽車和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的一些令人難以置信的途徑鋪平道路。 

多年來，GaN半導(dǎo)體器件的使用范圍顯著擴大，這取決于先驅(qū)們在器件尺寸和性能方面取得突破的不懈努力。用于汽車電子的GaN正在吸引眾多車輛的關(guān)注。特別是自動駕駛汽車一直是IC制造商為其旗艦產(chǎn)品尋求巨大商業(yè)化空間的主要應(yīng)用之一。 

毋庸置疑，汽車電子產(chǎn)品正走在耗電的道路上，多年來，無數(shù)的自主功能被添加到汽車中。汽車LiDAR就是一個很好的例子，GaN半導(dǎo)體器件市場的公司正在關(guān)注巨大的收入可能性。事實上，一些原始設(shè)備制造商和汽車公司的GaN技術(shù)通過推廣作為自動駕駛汽車的下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)來實現(xiàn)清潔能源轉(zhuǎn)型的目標(biāo)。 

在GaN半導(dǎo)體器件市場運營的許多利益相關(guān)者對GaN技術(shù)在加強運輸部門電動交通方面的應(yīng)用特別熱情。值得注意的是，它們旨在擴大GaNIC的功率范圍和功能范圍，旨在成為電動汽車下一代電力電子設(shè)備的推動者。引人注目的是，預(yù)計越來越多的Tier-1汽車電子制造商將為聯(lián)網(wǎng)汽車中的電子驅(qū)動功能提供GaNFET，從而為市場帶來新的收入來源。 

一項評估GaN半導(dǎo)體器件機會的深入商業(yè)智能研究預(yù)測，到2027年，全球估值將達到約40億美元。 

在過去的10年中，數(shù)據(jù)流量成倍增加，預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去。在這種背景下，GaN驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心可能比后者更早成為現(xiàn)實。GaN功率IC可以作為現(xiàn)代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的游戲規(guī)則改變者。 

GaN半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)看到穩(wěn)定收入潛力的另一個領(lǐng)域是便攜式消費電子產(chǎn)品。它們越來越多地用于智能手機充電器以及一系列基于GaN的單端口和多端口充電器。 

展望未來，電力電子行業(yè)的持續(xù)進步將導(dǎo)致GaN半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)計，并不斷專注于降低成本。這無疑開啟了半導(dǎo)體行業(yè)的新階段。