【每日一品】Slkor薩科微18V穩定電壓值的穩壓二極管MMSZ5248B，廣泛應用于手機電子等領域

更新日期： 2024-04-09
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Slkor薩科微穩壓二極管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和18V穩定電壓值，該器件穩定電壓工作范圍為17.1V 至 18.9V，反向漏電流為0.1uA。這款穩壓二極管以其高效、穩定的工作性能，在手機電源管理中發揮著重要作用，為手機的穩定運行提供了有力保障。

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【每日一品】Slkor薩科微15V穩定電壓值的穩壓二極管BZT52C15，廣泛應用于通信設備等領域

更新日期： 2024-04-09
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Slkor薩科微穩壓二極管BZT52C15具有500mW最大功耗和15V穩定電壓值，該器件穩定電壓工作范圍為13.8V至15.6V，反向漏電流為0.1uA。這款穩壓二極管可以確保通信設備的穩定運行和數據的準確傳輸，滿足大部分電路對穩定性和可靠性的高要求，在通信設備中發揮著不可替代的作用。

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【每日一品】Slkor薩科微3.3V穩定電壓值的穩壓二極管BZT52C3V3，廣泛應用于通信設備等領域

更新日期： 2024-04-09
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薩科微slkor（www.slkoric.com）總經理宋仕強先生說，社會進步是由一輪又一輪技術進步（即生產力的發展），來促進生產關系變革和推動社會經濟發展的，借力國內的大市場和經濟內循環，對于電子元器件電子信息產品來說，是“國產替代”是好機會。我們中華民族要重新崛起完成偉大的復興，就是要借勢即將到來新一輪的”康波周期……

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MIPI I3C 協議

更新日期： 2024-04-09
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隨著物聯網和嵌入式系統的迅猛發展，設備之間的通信需求變得越來越復雜。在這一背景下，I3C（MIPI I3C）協議應運而生，為連接多種傳感器和外設提供了一種高效而靈活的解決方案。本文將詳細介紹I3C協議，并通過對比I2C和SPI通信，展示其優勢。

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【每日一品】Slkor薩科微60V漏源電壓的中壓MOS管2N7002E，廣泛應用于電源管理等領域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor中壓MOS管2N7002E是一款具有60V漏源電壓和300mA連續漏極電流的N溝道MOSFET，以其較低的導通電阻（3Ω@10V,500mA）和較低的閾值電壓（2.5V@250μA）而著稱。此中壓MOS管在電源管理中的優勢主要體現在其高效、可靠且靈活的電流與電壓處理能力上。它能夠有效地提高電源管理系統的效率、穩定性和可靠性。

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【每日一品】Slkor薩科微12V穩定電壓值的穩壓二極管MMSZ5242B，廣泛應用于手機電子等領域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor薩科微穩壓二極管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和12V穩定電壓值，該器件穩定電壓工作范圍為11.4V 至 12.6V，反向漏電流為2uA。這款穩壓二極管以其高效、穩定的工作性能，在手機電源管理中發揮著重要作用，為手機的穩定運行提供了有力保障。

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【每日一品】Slkor薩科微50V漏源電壓的中壓MOS管BSS138，廣泛應用于LED驅動等領域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor薩科微BSS138是一款具有50V漏源電壓和220mA連續漏極電流的N溝道MOS管，以其較低的導通電阻（3.5Ω@10V,220mA）和較低的閾值電壓（1.6V@1mA）而著稱。該MOS管在LED驅動中的應用具有諸多優勢，如高效率、低功耗、高可靠性等。通過合理的設計和選擇，可以充分發揮其在LED驅動電路中的作用，為現代電子設備提供穩定、高效的照明解決方案。

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技術解讀?電力電子|IGBT知識大匯總！

更新日期： 2024-04-08
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IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）

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垂直GaN，徹底改變功率半導體

更新日期： 2024-04-08
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2023年10月5日，OKI和Shin-Etsu Chemical兩家日本公司在一場聯合新聞發布會上宣布了一項引人注目的技術突破。他們成功開發出一種新技術，可以以比傳統技術低90％的成本制造"垂直GaN"功率器件。這一突破性的發展引起了全球范圍內對氮化鎵（GaN）功率半導體的關注，并對實現節能和低碳社會產生了積極的影響……

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【每日一品】Slkor薩科微可承載高功率負載的中壓MOS管SL60N06，廣泛應用于微波技術等領域

更新日期： 2024-04-08
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slkor薩科微SL60N06是一款具有60V漏源電壓和60A連續漏極電流的N溝道MOS管，以其低導通電阻（11.5mΩ@10V,30A）和較低的閾值電壓（4V@250μA）而著稱。隨著微波技術的快速發展，高頻電路在雷達、通信、衛星導航等領域的應用日益廣泛。這些特性使得 SL60N06作為高頻電路中的關鍵元件，因其優良的性能和可靠性而備受關注。

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