更新日期： 2023-03-10
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RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構中的一股強大力量。RISC-V架構的出現和發展，不僅推動了開源計算機架構的發展，也為智能汽車行業的未來發展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領域的運用進行探討

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GAAFET與FinFET工藝

更新日期： 2023-03-10
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三星在年初的IEEE國際固態電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術的一些細節，包括類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結構，率先開啟先進工藝在技術架構上的轉型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經流片采用環繞柵極 (GAA) 晶體管架構的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET……

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增強型MOS管結構與工作原理

更新日期： 2023-02-27
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一、增強型MOS管結構 1.增強型MOS管結構 ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

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常見的車用芯片AEC-Q驗證問題解答

更新日期： 2023-02-27
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在汽車電子向智能化，信息化和網絡化發展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。

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車系統級芯片SoC：汽車系統級芯片概覽及AEC-Q100車規

更新日期： 2023-02-27
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SoC，系統級芯片，汽車系統級SoC主要面向兩個領域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現在越來越模糊。隨著汽車電子架構的演進，新出現了網關SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網關SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內核，達到低端座艙的水準。英偉達Orin的內部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC

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AI BMS管理方案，能否解決電池安全焦慮？

更新日期： 2023-02-27
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近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關注的焦點，發生自燃也是“自帶光環”。據國家應急管理部消防救援局的數據顯示，2022年第一季度，國內接報的新能源汽車火災共計有640起，同比上升32%，平均算下來，國內每天就發生超過7起新能源汽車起火事件。 ……

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劃片工藝流程

更新日期： 2023-02-25
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晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

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簡述晶圓減薄的幾種方法

更新日期： 2023-02-25
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減薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。打磨機械研磨機械（常規）磨削–該工……

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IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

更新日期： 2023-02-25
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IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展，許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合鋁線鍵合是

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關于BMS的AFE

更新日期： 2023-02-25
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AFE概述 BMS中芯片選型最重要的非AFE莫屬了。可以說AFE 的方案直接決定了整個BMS 的系統方案。下面針對現在通用的BMS方案，做一下總結，聊一下具有代表性的幾個大廠的AFE。 TI方案說到關于半導體行業的大佬，TI真是應有具有。TI的AFE也比較強大，從低壓到高壓覆蓋面也很廣了。下面聊一聊 1串~4串的AFE有BQ40z50-R1，適用范圍：筆記本電腦、醫療與測試設備、便攜式儀表。圖片來源于TI官網 BQ76

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