IC 在進(jìn)入市場之前可以經(jīng)歷數(shù)年的設(shè)計和驗證周期。 系統(tǒng)設(shè)計工程團隊在將 IC 開發(fā)成系統(tǒng)之前對其進(jìn)行評估。 IC 宏模型可幫助系統(tǒng)設(shè)計人員在創(chuàng)建物理 PCB 之前了解、模擬并將這些設(shè)備實施到他們的系統(tǒng)中。
GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場強、高的電子飽和速度等特點,在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢,其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET,滿足新一代電子產(chǎn)品對更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求,被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。