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技術(shù)交流

Technology Exchange
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國產(chǎn)無線充電芯片的技術(shù)和應(yīng)用分析
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 2014
自從100年前物理學家尼古拉·特斯拉提出無線電力傳輸?shù)臉?gòu)想,“無線充電”技術(shù)已經(jīng)取得了極大的進步,但在商業(yè)化應(yīng)用方面一直進展緩慢。直到最近幾年手機無線充電流行起來,“無線充電”這一技術(shù)才為大眾所熟知,在幫助手機用戶擺脫線纜糾纏的同時,開始滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域,小至TWS耳機和微型IoT傳感器,大至廚房電器和電動汽車。 ……
DC/DC的電感下方到底是否鋪銅
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 3205
電感有交變電流,電感底部鋪銅會在地平面上產(chǎn)生渦流,渦流效應(yīng)會影響功率電感的電感量,渦流也會增加系統(tǒng)的損耗,同時交變電流產(chǎn)生的噪聲會增加地平面的噪聲,會影響其他信號的穩(wěn)定性。 在EMC方面來看,在電感底部鋪銅,完整的地平面鋪銅有利于EMI的設(shè)計;現(xiàn)在的電感的生……
MOS管發(fā)燙的原因
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 4484
MOS管發(fā)燙的原因,最近我有用到一個MOS管,MOS管的型號是2N7002,市面上很常見的MOS管,這個MOS管是一個電路的組合,是個自己設(shè)計的電路,用來驅(qū)動背光電路的,具體的電路圖我就不截出來了,我只能說造成我MOS管發(fā)燙的原因的話是我柵極驅(qū)動波形上升沿速度緩慢,因為我的電路需要頻繁的導通和關(guān)斷,上升沿波形緩慢的結(jié)果就是讓我的MOS管在電路導通的過程中處于線性導通狀態(tài),也就是沒有完全導通,所以會發(fā)燙,如果做過開關(guān)電源的話就知道,MOS管上升沿緩慢代表什么,原因知道的話那就好辦了,驅(qū)動波形上升沿緩慢,也就
半導體封裝技術(shù)詳解?。ㄊ詹兀? /></div>
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  • 更新日期: 2022-06-21
  • 瀏覽次數(shù): 2674
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充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期: 2022-06-21
  • 瀏覽次數(shù): 3855
2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車利好政策陸續(xù)出臺,城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車,加上工廠、倉庫也逐步應(yīng)用新能源 AGV,充電樁的需求量日增月益。預(yù)計 2022年,我國將擁有分布式……
干貨 | 技術(shù)參數(shù)詳解,MOS管知識最全收錄
  • 更新日期: 2022-06-17
  • 瀏覽次數(shù): 8796
和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢,在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。 ……
大廠DC-DC PCB layout建議
  • 更新日期: 2022-06-16
  • 瀏覽次數(shù): 3193
在DC-DC芯片的應(yīng)用設(shè)計中,PCB布板是否合理對于芯片能否表現(xiàn)出其最優(yōu)性能有著至關(guān)重要的影響。不合理的PCB布板會造成芯片性能變差如線性度下降(包括輸入線性度以及輸出線性度)、帶載能力下降、工作不穩(wěn)定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等,更嚴重的可能會直接造成芯片損壞。 ……
功率MOSFET技術(shù)資料與講解
  • 更新日期: 2022-06-14
  • 瀏覽次數(shù): 3601
什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號。對于諸如“流控制”或可編程開關(guān)之類的應(yīng)用,我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brat……
降低氮化鎵襯底成本,他們找到了新方法
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 瀏覽次數(shù): 2497
2022年5月,名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所的Hiroshi Amano教授和副教授Atsuyuki Tanaka組成的研究小組決定在“短時間內(nèi)”以“小損耗”切割出GaN(氮化鎵)襯底宣布開發(fā)出可與Hamamatsu Photonics合作使用的激光切片技術(shù)。作為能夠降低 GaN 器件成本的技術(shù)而備受矚目。 ……
功率半導體冷知識之二:IGBT短路時的損耗
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 瀏覽次數(shù): 2627
短路不可怕 IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一,短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多……
PCB板元器件布局布線基本規(guī)則
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 瀏覽次數(shù): 3129
一、元件布局基本規(guī)則  1.按電路模塊進行布局,實現(xiàn)同一功能的相關(guān)電路稱為一個模塊,電路模塊中的元件應(yīng)采用就近集中原則,同時數(shù)字電路和模擬電路分開;  2.定位孔、標準孔等非安裝孔周圍1.27mm內(nèi)不得貼裝元、器件,螺釘?shù)劝惭b孔周圍3.5mm(對于M2.5)、4mm(對于M3)內(nèi)不得貼裝元器件;  3.臥裝電阻、功率電……
半導體硅晶圓制造
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 瀏覽次數(shù): 3896
晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。 晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半……

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