摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術(shù)的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產(chǎn)化問題日益凸顯。分析了國產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數(shù)和技術(shù)指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環(huán)境下運……

揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎(chǔ)材料，半導體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數(shù)點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。 當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度，不包括……

在惡劣或強電子干擾環(huán)境中，比如工業(yè)環(huán)境和生產(chǎn)裝配線等等，在這些系統(tǒng)中，機械設備、高頻 設備、火花機等等會產(chǎn)出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對凈化電源的要求， 比如對電源質(zhì)量要求比較高的精密儀器設備特別是傳感器和微弱信號采集的要求，采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流（或噪聲）隔……

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。 圖 1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖 DC/DC 開關(guān)電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè) FET和低側(cè) FET 的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖 1 所示。這兩個 FET 會根據(jù)控制

大多數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)采用固定的正基準電壓工作，輸出電壓或電流與基準電壓和設定的數(shù)字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器(MDAC)，情況并非如此，其基準電壓可以變化，變化范圍通常是±10 V。因此，通過基準電壓和數(shù)字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態(tài)的)。 應用 借……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，根據(jù)導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

在“追光實驗室”上海站啟動儀式上，阿斯麥（ASML）中國區(qū)總裁沈波笑言，隨著近年來半導體的社會關(guān)注度上升，ASML已經(jīng)成功出圈，從一家只有業(yè)內(nèi)人士了解的隱形冠軍，成為全民都能談論幾句的網(wǎng)紅公司，幾乎每天都能看到與ASML相關(guān)的報道和話題。ASML中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)高偉民甚至總結(jié)了媒體報道中對ASML的描述，他表示，專業(yè)媒體……

今天來說兩個問題：1、MOS管導通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會有這兩個問題？ 我們在最開始學習MOS管的時候，應該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實際應用電路，NMOS會有電流從S到D的情況，比如下面這個……

一家專門從事合成、實驗室培育的電子級鉆石材料的制造和應用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半導體、電信、消費行業(yè)和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出，這個行業(yè)突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強各行業(yè)電子產(chǎn)品的……

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ壳罢蔀閲H競爭的新熱點。 金剛石作為超寬帶隙……

近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進入系統(tǒng)內(nèi)，成為眾多手機、筆電產(chǎn)品的標配。同時，氮化鎵技術(shù)在消費類電源市場中的應用領(lǐng)域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術(shù)。 充電頭網(wǎng)已經(jīng)累計拆解了近……

導讀：在不斷拓展的計時場景應用中，電子系統(tǒng)對計時元件提出了更高、更復雜的技術(shù)要求，而傳統(tǒng)的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點。其已經(jīng)不能滿足所有應用領(lǐng)域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優(yōu)勢將有機會替代傳統(tǒng)石英晶振，解決電子工程……