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更新日期： 2023-07-05
瀏覽次數： 1441

MMBT5551是一款具有外延平面晶片結構的三極管，它具有許多優點，使其非常適用于中功率放大和開關應用。外延平面晶片結構是這種結構能夠提供更高的集電極-發射極電壓（VCEO），使得三極管能夠承受更大的電壓和電流，為電路提供穩定和可靠的性能。MMBT5551還有無鉛版本可供選擇。無鉛版本的三極管符合環保要求，對環境友好，在需要符合環保標準的領域能夠大放異彩。

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【每日一品】薩科微MMBT4401三極管的特性及其在電子電路中的應用

更新日期： 2023-07-04
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MMBT4401是一種NPN型三極管。具有以下參數，晶體管類型：NPN。NPN型三極管是一種常見的極性類型，其中的N代表負極性，P代表正極性。集射極擊穿電壓(Vceo)：40V。這是指在正常工作條件下，集射極與發射極之間的最大電壓。集電極電流(Ic)：600mA。這是指通過集電極的最大電流。它決定了三極管的功率放大能力。功率(Pd)：350mW。

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【每日一品】薩科微S9014晶體管，具有高功耗和高hFE特性

更新日期： 2023-07-02
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S9014是一種NPN結構的三極小功率晶體管，它在電子設備中具有廣泛的應用。該晶體管采用TO-92塑料外殼，具有高功耗和高hFE特性，能夠提供穩定的放大功能。S9014具有一系列特定的參數和特性，使其在電子設備中具有廣泛的應用。下面我們將詳細介紹S9014的相關參數和特點。

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【每日一品】S9013三極管：小功率應用的常見NPN型三極管

更新日期： 2023-07-01
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在使用S9013三極管時，需要注意其最大集電極電流（IC）為500mA，功率(Pd)為300mW，適用于小功率應用。同時，集射極擊穿電壓（VCEO）為25V，集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)為600mV@500mA,50mA，適用于低電壓應用。集電極電流(Ic)為500mA，集電極截止電流(Icb……

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【每日一品】薩科微半導體：SS8050三極管參數詳解，為電子行業提供可靠的元器件

更新日期： 2023-06-30
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SS8050作為NPN型晶體三極管，在各種放大電路中經常看到它，應用范圍很廣，主要用于高頻放大，也可用作開關電路。SS8050的參數和特性如下，其集射極擊穿電壓(Vceo)為25V，集電極電流(Ic)為1.5A，功率(Pd)為300mW，集電極截止電流(Icbo)為100nA，集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)為500mV@800mA,80mA，特征頻率(fT)為100MHz，工作溫度范圍廣泛，為-55.C~150.C。

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【每日一品】S8050三級管的參數和應用：適用于音頻放大器和通用電路設計

更新日期： 2023-06-29
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今天介紹的是薩科微slkor三極管S8050。它是一款非常常見的NPN型晶體三極管，在各種放大電路中經常能看到它，可以說應用范圍很廣。S8050晶體管的主要特點是高集電極電流(IC= 500mA)、優異的HFE線性度和高總功率耗散(PC=300mW)等。這些特點使得S8050晶體管在高集電極電流的應用場合中表現出色。

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【每日一品】薩科微slkor高壓MOS管 SL18N50F：擁有高壓功率場效應晶體管的優異特性

更新日期： 2023-06-27
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SL18N50F是一款N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管，是一種高性能的半導體器件，適用于各種高壓開關應用。優異的設計結構使得該器件具有低導通電阻、低閾值電壓和快速開關速度等特性，除此之外，SL18N50F還擁有低柵極電荷量、低反向傳輸電容、提升了 dv/dt 能力等特點，以上這些特性使得該器件在各種應用場合中都具有廣泛的適用性。

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【每日一品】薩科微高漏源電壓和高效導通的N溝道功率MOSFET器件：2N7002

更新日期： 2023-06-27
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2N7002是一種N溝道功率MOSFET器件，具有高漏源電壓和高效導通等特點，適用于多種應用場合。該器件的漏源電壓高達60V，可適應各種電源電壓要求。同時，其導通電阻低，最小值為7.5Ω，能夠提供更高的效率。此外，MOS管2N700的閾值電壓高達2.5V，具有更好的抗干擾能力。該器件采用SOT-23封裝，尺寸小巧，便于……

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【每日一品】Slkor BSS123 MOSFET: 適用于多種應用的中壓MOS管

更新日期： 2023-06-26
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Slkor BSS123 MOSFET是一款中壓MOS管，作為常用的半導體器件，它具有高輸入電阻和低輸出電阻的特點。BSS123的極性為N溝道，在N溝道MOS管中，溝道是由N型材料構成的，而源極和漏極是P型材料。當柵極電壓施加在溝道上時，溝道中的電子會被吸引到P型源極，從而形成電流，流向P型漏極，這種極性的MOSFET器件通常用于中低功率應用。

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