1. 概述

失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優化制造工藝的重要環節。隨著技術的進步，特別是進入5nm、7nm等先進工藝節點后，器件失效模式變得更為復雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進行失效定位和機理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡稱AFM）就是其中一種重要的分析工具。

2. 半導體工藝及失效分析

半導體制造技術隨著摩爾定律的發展，已經從14nm、7nm工藝進化到5nm及更先進的節點。這些先進工藝節點中，器件的微縮程度極大，導致失效模式更加復雜和多樣化。比如，FinFET結構由于其獨特的三維設計，帶來了更多失效模式的可能性，且其中許多失效僅能在微觀或納米級別進行有效分析。

在失效分析過程中，主要步驟包括：

失效定位：通過電測試、熱成像等手段確定失效點。

物理失效分析（PFA）：利用各種顯微技術（如AFM、SEM、TEM等）進一步分析失效的物理原因。

失效機理推斷：通過對物理缺陷的分析，結合工藝流程和器件特性，推斷失效機理。

在此過程中，AFM因其高精度的表面成像與納米級別分辨率，成為定位和分析失效原因的重要工具。

3. AFM原理及其在失效分析中的優勢

AFM的工作原理是利用一個尖銳的探針（探針半徑通常在納米級別）接觸或接近樣品表面，探針與樣品表面的相互作用力（如范德華力、靜電力等）使探針發生偏移，進而通過記錄這些偏移來構建樣品的三維形貌圖。AFM的原理如下：

相較于掃描電子顯微鏡（SEM）等傳統技術，AFM具有以下幾個顯著優勢：

超高分辨率：AFM的分辨率可以達到納米甚至亞納米級，適用于分析極微小的結構失效。

表面形貌成像：AFM不僅能提供二維的表面形貌圖，還可以通過分析探針與樣品的力學相互作用，獲取更多關于表面機械性能、電性能的細節。

非破壞性分析：在正確操作下，AFM不會破壞樣品，非常適合后續需要進一步測試的樣品分析。

因此，在先進工藝節點中，AFM特別適合分析器件的表面缺陷，如表面顆粒、形貌不均、納米級的裂紋、金屬層間的缺陷等。AFM看到的部分現象：

4. AFM在失效分析中的具體應用

在器件失效分析中，AFM的應用主要集中在以下幾個方面：

4.1 表面形貌與粗糙度分析

在半導體工藝中，表面粗糙度往往會影響器件的電性能。特別是在14nm、7nm及更先進的FinFET器件中，鰭結構的表面粗糙度直接影響晶體管的驅動電流和漏電性能。如果晶體管表面存在過多的顆?；虿痪鶆蛐蚊?，將可能導致器件失效或性能下降。

AFM通過高精度的三維成像能力，可以精確測量器件表面的形貌和粗糙度，識別那些可能導致失效的微觀缺陷。以FinFET器件為例，AFM能夠檢測到鰭結構表面的不均勻刻蝕、材料沉積不良等問題。

AFM應用中，力和距離之間的關系如下：

4.2 晶圓缺陷分析

在晶圓制造過程中，晶圓表面往往會因刻蝕、氧化、清洗等工藝步驟產生顆粒、裂紋或其他缺陷。AFM可以在納米級別對這些表面缺陷進行精確定位和成像。AFM的操作示意圖如下：

例如，在某些高性能產品中，如果金屬互連層中殘留了微小顆粒或形成了裂紋，將可能導致互連失敗甚至短路問題。AFM通過其非破壞性表面成像能力，可以在不破壞樣品的前提下檢測這些缺陷。

4.3 納米級別的電性能測量

除了表面形貌成像外，AFM還可以通過改進的操作模式（如導電AFM，C-AFM）測量器件的電性能。在半導體失效分析中，常常需要檢測某個區域的漏電、絕緣失效或導電性差異，這些問題往往與器件表面的微觀結構或材料不均勻性相關。

例如，在FinFET器件中，如果某個區域的柵極漏電較大，則可能是由于柵極材料刻蝕不充分或存在顆粒導致的。AFM可以通過掃描電流成像檢測出該區域的電性能異常，并結合表面形貌分析，幫助定位失效原因。

4.4 局部機械性能分析

AFM還可以通過力學模式（如力曲線模式）測量樣品的機械性能，如硬度、粘附性、彈性模量等。在半導體工藝中，材料的機械性能失效也可能導致器件功能受損。例如，某些電介質層如果在制造過程中產生了機械應力集中區，可能會導致開裂或層間剝離。

在這種情況下，AFM能夠通過對材料表面機械性能的精細檢測，識別出潛在的失效區域，為失效機理推斷提供依據。

5. 與其他設備的聯合應用

盡管AFM在失效分析中具有獨特的優勢，但單獨使用AFM往往無法完全解決復雜的失效問題。因此，AFM常常與其他分析設備（如Nano-probe、TEM、SEM等）配合使用，形成綜合的分析手段。

例如，針對某些深層的材料缺陷（如埋藏在多個金屬層之下的互連短路問題），需要先使用Nano-probe進行電性能定位，再利用AFM對表面形貌進行分析，最終通過FIB截取樣品進行TEM詳細觀察。這種多設備協同的分析方法可以確保失效問題得到全面的解析。

6. 案例分析：AFM在失效分析中的實際應用

案例一：16nm FinFET器件MG-MD短路問題

在某16nm制程的FinFET產品中，出現了Shmoo異常的問題。通過Nano-probe定位到SRAM區的一個bit cell，并進行AFM表面形貌分析后，發現該區域金屬柵極的刻蝕存在殘留，導致了柵極和源極之間的短路問題。最終通過進一步的FIB/TEM分析證實了MG-MD短路的存在。

在這個案例中，AFM的高分辨率表面成像能力幫助迅速識別出了金屬柵極的刻蝕問題，并為后續的物理失效分析提供了重要的表面信息。

案例二：14nm制程產品的STI刻蝕缺陷

在某14nm芯片產品中，AFM被用于分析STI（Shallow Trench Isolation）刻蝕不完全的問題。通過AFM檢測，發現該區域的表面形貌存在局部凹陷，進一步的TEM分析證實了該處存在STI刻蝕空洞，最終通過工藝改進解決了此類問題。

7. 結論

結合Nano-probe、FIB、TEM等其他分析工具，AFM能夠提供更加全面、深入的失效分析結果，幫助解決制造工藝中的問題，提高產品良率和可靠性。對于器件失效分析工程師來說，掌握并靈活運用AFM等設備，將是應對未來工藝挑戰的關鍵技能。

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